时间：2025/8/6 5:25:16
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IXTQ56N15T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的导热性能和电气特性，适用于工业电源、电机控制、逆变器以及各种开关电源设计中。IXTQ56N15T 的最大漏源电压（VDS）为 150V，最大漏极电流（ID）可达 56A，具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高整体效率。
最大漏源电压（VDS）：150V
最大漏极电流（ID）：56A
导通电阻（RDS(on)）：约 0.032Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
最大功耗（PD）：200W
IXTQ56N15T 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种高功率应用。其低 RDS(on) 特性使其在导通状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件采用了先进的平面技术，确保了稳定的电气性能和良好的热稳定性。
此外，IXTQ56N15T 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载和高能脉冲。这使得它在电机控制、DC-DC 转换器、UPS 系统和太阳能逆变器等高要求的应用中表现出色。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，能够实现高频操作，从而减小外围电路的体积和重量。其 TO-220 封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
IXTQ56N15T 在设计时考虑了可靠性与耐用性，能够在恶劣环境下稳定工作。其宽广的工作温度范围允许在高温条件下正常运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。
IXTQ56N15T 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及汽车电子系统。由于其高电流承载能力和低导通损耗，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的功率转换和控制电路中。
IXTQ56N15DH、IXTQ56N15T2、IXTQ56N15E、STP55NF15、IRFZ48N
