IS43R86400F-5TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该器件属于高速、低功耗的DRAM系列,广泛应用于需要大容量缓存和快速数据访问的电子设备中。IS43R86400F-5TLI采用标准的DRAM接口,具备良好的兼容性,适合用于工业控制、通信设备、消费电子产品等多个领域。该芯片支持异步操作,具备自动刷新和自刷新模式,能够在不同的工作条件下保持数据的完整性。
容量:64Mbit
组织方式:4M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
数据宽度:16位
最大时钟频率:166MHz
刷新周期:64ms
IS43R86400F-5TLI的主要特性之一是其高速访问能力,访问时间仅为5.4ns,使得数据读取和写入操作非常迅速。该芯片采用了低功耗设计,在自动刷新和自刷新模式下能够有效降低功耗,适合对能耗敏感的应用场景。
此外,IS43R86400F-5TLI具有宽电压范围(2.3V至3.6V),使其在不同供电环境下都能稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业环境,包括高温或低温条件下的应用。
该DRAM芯片支持异步操作模式,允许系统在不依赖固定时钟频率的情况下进行数据访问,提高了系统的灵活性。同时,其64ms刷新周期确保了数据在长时间运行中不会丢失,提升了系统的可靠性。
IS43R86400F-5TLI采用54引脚TSOP封装形式,体积小巧,便于PCB布局和集成。这种封装方式也提供了良好的散热性能,有助于维持芯片在高负载下的稳定运行。
IS43R86400F-5TLI适用于多种需要高速存储和大容量缓存的应用场景。例如,在工业控制设备中,它可以作为临时数据存储单元,用于缓存传感器数据或控制指令。在通信设备中,如路由器和交换机,该芯片可用于存储临时路由表或数据包缓存,提高数据处理效率。
在消费类电子产品中,如数字电视、机顶盒和游戏机,IS43R86400F-5TLI可以作为图形缓存或程序缓存,提升设备的响应速度和用户体验。此外,该芯片还可用于嵌入式系统、医疗设备、测试仪器等需要高性能存储解决方案的场合。
由于其宽电压范围和宽温度范围特性,IS43R86400F-5TLI也非常适合用于汽车电子系统、安防监控设备以及便携式电子设备,这些应用场景往往对环境条件有较高的要求。
IS43R86400B-5TLI, IS43R86400F-6TLI, IS42S86400F-5TLI