V24B28M200BL 时间：2025/4/28 19:49:28 阅读：3

V24B28M200BL 是一款高性能的 24V 驱动 MOSFET 功率晶体管，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用了先进的制程技术，能够提供卓越的开关性能和较低的功耗，适用于多种工业、汽车以及消费类电子应用领域。
　　该产品具有较高的电流承载能力和耐热性能，同时具备出色的 ESD（静电放电）防护能力，以确保在复杂环境中的稳定运行。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：24V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：60nC
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

V24B28M200BL 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功率损耗，提升系统效率。
　　2. 支持高达 28A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
　　3. 具备出色的热稳定性，能在极端温度范围内可靠运行。
　　4. 内置保护机制，例如过流保护和短路保护功能，提高器件的安全性。
　　5. 封装采用 TO-220FP，便于散热管理并适合各种安装方式。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　7. 稳定的电气性能和较长的使用寿命，使其成为许多高可靠性应用的理想选择。

应用

V24B28M200BL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中作为高效开关元件。
　　2. 电机驱动控制电路，用于家用电器、工业设备和汽车电子系统。
　　3. LED 照明驱动电路，提供稳定的电流输出。
　　4. 电池管理系统 (BMS)，用于保护锂电池组免受过充或过放的影响。
　　5. 汽车电子应用，如启动马达控制、燃油喷射系统等。
　　6. 各种负载开关和保护电路设计中。