时间：2025/6/23 19:16:50
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CL31B475KBHNNNE是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压MOSFET功率晶体管。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效率、低功耗和快速开关性能的电路中。它广泛用于电源管理领域，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化等场景。
型号：CL31B475KBHNNNE
封装：TO-263 (DPAK)
漏源极击穿电压(Vds)：750V
连续漏极电流(Id)：3.1A
栅极电荷(Qg)：40nC
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
最大工作结温范围：-55℃至+150℃
开关频率：高达500kHz
总功耗：8W
CL31B475KBHNNNE具有优异的电气特性和可靠性。其高击穿电压(750V)使其能够承受较高的电压波动，适用于恶劣的工作环境。同时，低导通电阻(1.5Ω)可有效降低传导损耗，提高整体能效。
此外，该器件的栅极电荷较小(40nC)，有助于实现更快的开关速度并减少开关损耗。在高频应用中，这些特点可以显著提升系统性能。
由于采用了TO-263封装，该器件具备良好的散热性能，并且易于安装到印刷电路板上。此外，其符合RoHS标准，环保且适合长期使用。
CL31B475KBHNNNE适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源(SMPS)设计，尤其是离线式适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和负载控制。
3. 电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机的控制。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
5. 其他需要高压开关能力的场合，如逆变器、不间断电源(UPS)等。
IRFPG50,
STP3NC75,
FDP150AN,
IXYS IXTH32N75T2,
Infineon IPP030N07N3G
