时间：2025/8/13 11:45:29
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LBSS84W 是一款由 ON Semiconductor 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于低电压和中等功率应用中的开关控制。这款晶体管采用了先进的 TrenchFET 技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于便携式电子设备、电源管理和负载开关等应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(on)）：160mΩ @ VGS = -4.5V；190mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-223
LBSS84W 具有多种优异的电气和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，这款 MOSFET 的导通电阻非常低，仅为 160mΩ（在 VGS = -4.5V 时），这意味着在导通状态下，晶体管的功率损耗非常小，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）也较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
其次，LBSS84W 采用了 SOT-223 封装，这是一种小型化且易于焊接的封装形式，适合在空间受限的设计中使用。该封装还具有良好的热性能，有助于将热量从晶体管有效地散发到环境中，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
该器件支持的最大连续漏极电流为 -4.4A，适用于中等功率的开关应用。其栅源电压范围为 ±12V，允许在较宽的控制电压范围内工作。此外，LBSS84W 在 -2.5V 至 -4.5V 的栅极电压下均可实现良好的导通性能，使得它能够与多种控制电路（如 3.3V 或 5V 微控制器）兼容。
最后，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用。
LBSS84W 由于其高效率和小尺寸封装，广泛应用于多个领域。在便携式电子产品中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，它常用于电源管理电路中，作为负载开关或电池保护电路的一部分。此外，它还可以用于 DC-DC 转换器和同步整流器中，以提高转换效率并减少热量产生。
在工业控制系统中，LBSS84W 可用于电机驱动、继电器替代和 LED 照明控制等应用。由于其快速开关能力和低导通电阻，它在这些应用中可以显著提高系统效率并减少能量损耗。
汽车电子方面，该器件适用于车身控制模块、车载娱乐系统和电池管理系统等场景。其宽工作温度范围确保了它在极端环境条件下（如高温发动机舱或低温启动）仍能稳定运行。
此外，LBSS84W 还适用于通信设备、测试仪器和自动化设备等需要高效能、小体积开关元件的场合。
Si4435DY, BSS84, FDN340P
