时间：2025/7/17 21:09:18
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VP0210N3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高开关性能。该器件适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：2A
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ @ VGS = 4.5V
栅极电荷（Qg）：7nC @ VGS = 4.5V
封装类型：TSOP
VP0210N3 MOSFET 具备非常低的导通电阻，这使得在工作过程中产生的功率损耗显著降低，从而提高了整体效率。
其先进的沟槽技术确保了良好的热稳定性，并减少了寄生电容的影响，使器件能够在高频下稳定运行。
此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低，有助于加快开关速度并减少开关损耗，适合用于高速开关电路中。
VP0210N3 还具有较高的耐用性和稳定性，在恶劣的工作环境下依然能够保持可靠的性能表现。
该器件采用了 TSOP 封装形式，这种封装不仅节省空间，还提供了优良的散热性能，适用于表面贴装工艺。
VP0210N3 常被用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备。
在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为高效的同步整流器或主开关元件，以提高转换效率。
此外，它也广泛应用于负载开关电路中，用于实现对不同外设的快速开断控制，保护系统免受过载或短路损害。
在电机控制领域，VP0210N3 可用作 H 桥结构的一部分，驱动小型直流电机或步进电机。
由于其优异的开关特性和紧凑的封装，该器件还适用于 LED 驱动电路、USB 充电端口控制以及工业自动化控制系统。
Si2302DS, AO3400A, FDN304P
