VP0210N3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻和高开关性能。该器件适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理系统,包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):2A
最大漏源电压(VDS):20V
最大栅源电压(VGS):±8V
导通电阻(RDS(on)):15mΩ @ VGS = 4.5V
栅极电荷(Qg):7nC @ VGS = 4.5V
封装类型:TSOP
VP0210N3 MOSFET 具备非常低的导通电阻,这使得在工作过程中产生的功率损耗显著降低,从而提高了整体效率。
其先进的沟槽技术确保了良好的热稳定性,并减少了寄生电容的影响,使器件能够在高频下稳定运行。
此外,该 MOSFET 的栅极电荷较低,有助于加快开关速度并减少开关损耗,适合用于高速开关电路中。
VP0210N3 还具有较高的耐用性和稳定性,在恶劣的工作环境下依然能够保持可靠的性能表现。
该器件采用了 TSOP 封装形式,这种封装不仅节省空间,还提供了优良的散热性能,适用于表面贴装工艺。
VP0210N3 常被用于便携式电子设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备。
在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为高效的同步整流器或主开关元件,以提高转换效率。
此外,它也广泛应用于负载开关电路中,用于实现对不同外设的快速开断控制,保护系统免受过载或短路损害。
在电机控制领域,VP0210N3 可用作 H 桥结构的一部分,驱动小型直流电机或步进电机。
由于其优异的开关特性和紧凑的封装,该器件还适用于 LED 驱动电路、USB 充电端口控制以及工业自动化控制系统。
Si2302DS, AO3400A, FDN304P