时间：2025/8/14 14:56:15
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PJQ4460AP_R2_00001 是一款由 Panjit（强茂）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等高效率电力电子设备中。PJQ4460AP 采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），具有良好的热性能和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：12.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-252 (DPAK)
PJQ4460AP_R2_00001 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 的条件下，Rds(on) 的最大值仅为 12.8mΩ，非常适合用于高功率密度的电源设计。此外，该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于大电流负载的开关控制。PJQ4460AP 的 TO-252 封装设计有助于快速散热，提升整体热稳定性和可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有良好的栅极绝缘性能，确保了在各种工作条件下的稳定性和耐用性。其漏源击穿电压为 60V，能够在中高压电源系统中提供可靠的开关性能。在功率耗散方面，该器件的最大功耗为 125W，适合用于高效率 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
由于其优异的电气特性和封装优势，PJQ4460AP_R2_00001 在工业自动化、通信设备、汽车电子以及消费类电源系统中得到了广泛应用。其低导通损耗和快速开关特性有助于提高系统能效，降低发热，延长设备使用寿命。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及高电流负载的开关控制电路中。由于其优异的导通特性和散热性能，PJQ4460AP_R2_00001 也常用于服务器电源、电信设备、工业控制设备以及电动汽车相关系统中。在这些应用中，该 MOSFET 能够有效提升电源转换效率并降低整体系统损耗。
Si4460DY-T1-GE3, IRF4468PBF, FDD8882, IPD95N06S4-03
