JAN1N649-1是一种军用级别的硅整流二极管,符合美国军标(MIL)标准。该器件设计用于高频和高功率应用场合,具有良好的正向特性、低反向漏电流以及较高的峰值反向电压能力。
这种二极管通常被应用于电源整流、逆变器电路以及开关电源等场景,其坚固耐用的结构确保了在极端温度范围和恶劣环境下的可靠性。
最大正向电流:3A
峰值反向电压:600V
正向电压降:1.1V@3A
反向漏电流:5uA@25℃
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-3P
JAN1N649-1具备以下主要特性:
1. 军用级可靠性,能够在极端温度和振动条件下正常运行。
2. 高耐压能力,适合高压整流需求。
3. 快速恢复时间,适用于高频整流电路。
4. 低功耗设计,能够减少热量产生并提高系统效率。
5. 符合严格的军用筛选流程,保证长期使用中的稳定性和一致性。
JAN1N649-1广泛应用于需要高性能和可靠性的领域,例如:
1. 军事装备中的电源模块和信号处理单元。
2. 航空航天领域的高可靠性电子设备。
3. 工业控制系统的高压整流电路。
4. 大功率开关电源及逆变器。
5. 特殊用途的测试测量仪器。
由于其出色的电气性能和机械强度,它特别适合于对质量要求极高的军工项目。
1N649, JAN1N649