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JAN1N649-1 发布时间 时间:2025/5/10 14:03:34 查看 阅读:12

JAN1N649-1是一种军用级别的硅整流二极管,符合美国军标(MIL)标准。该器件设计用于高频和高功率应用场合,具有良好的正向特性、低反向漏电流以及较高的峰值反向电压能力。
  这种二极管通常被应用于电源整流、逆变器电路以及开关电源等场景,其坚固耐用的结构确保了在极端温度范围和恶劣环境下的可靠性。

参数

最大正向电流:3A
  峰值反向电压:600V
  正向电压降:1.1V@3A
  反向漏电流:5uA@25℃
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-3P

特性

JAN1N649-1具备以下主要特性:
  1. 军用级可靠性,能够在极端温度和振动条件下正常运行。
  2. 高耐压能力,适合高压整流需求。
  3. 快速恢复时间,适用于高频整流电路。
  4. 低功耗设计,能够减少热量产生并提高系统效率。
  5. 符合严格的军用筛选流程,保证长期使用中的稳定性和一致性。

应用

JAN1N649-1广泛应用于需要高性能和可靠性的领域,例如:
  1. 军事装备中的电源模块和信号处理单元。
  2. 航空航天领域的高可靠性电子设备。
  3. 工业控制系统的高压整流电路。
  4. 大功率开关电源及逆变器。
  5. 特殊用途的测试测量仪器。
  由于其出色的电气性能和机械强度,它特别适合于对质量要求极高的军工项目。

替代型号

1N649, JAN1N649

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JAN1N649-1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/240
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)400mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 400 mA
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 nA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装DO-35
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C