类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）

UF3G T/R 晶体管具有多项优异的电气特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其NPN型结构使其能够有效地作为电流放大器或开关使用。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，这使其在低至中功率应用中表现良好。
　　其次，UF3G T/R 的电流增益（hFE）范围为110至800，具体取决于晶体管的等级。这一特性使得该晶体管能够在不同增益要求的电路中灵活应用。
　　此外，该晶体管的增益带宽积（fT）为100MHz，表明其在较高频率下仍能保持良好的放大性能。这使其非常适合用于高频放大器或射频（RF）相关应用。
　　最后，UF3G T/R 采用TO-92封装，体积小巧，便于在各种电路板上安装。该封装还提供了良好的散热性能，以确保晶体管在长时间运行中保持稳定的工作状态。

UF3G T/R 晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **音频放大器**：该晶体管可用于前置放大器、功率放大器等音频电路中，提供高质量的音频信号放大。
　　2. **开关电路**：由于其良好的电流放大特性和较高的工作频率，UF3G T/R 可用于数字电路中的开关控制。
　　3. **射频（RF）应用**：凭借其100MHz的增益带宽积，该晶体管可在射频电路中用作信号放大器。
　　4. **传感器电路**：在需要信号放大的传感器电路中，UF3G T/R 可作为前置放大器提升信号强度。
　　5. **工业控制**：该晶体管可用于工业自动化设备中的控制电路，实现对电机、继电器等设备的控制。

2N3904, BC547, PN2222A