1N5819RLG是一种常见的肖特基二极管(Schottky Diode),广泛应用于各种电子电路中。肖特基二极管因其低正向压降和快速开关特性而备受青睐。1N5819RLG具有较低的功耗和较高的效率,非常适合用于高频整流、逆变器、电源开关以及保护电路等场合。
相比传统的PN结二极管,肖特基二极管在正向导通时压降低,反向恢复时间短,因此特别适合需要高效率和高速工作的应用环境。
最大反向电压:40V
正向电流(IF):1A
正向电压降(VF,典型值):0.45V
反向漏电流(IR,25°C):10uA
工作温度范围:-65°C至+150°C
封装形式:DO-201AD
1N5819RLG采用了肖特基势垒技术,其主要特性包括:
1. 低正向压降,可有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速反向恢复时间,通常小于10ns,使其适用于高频电路。
3. 高浪涌电流能力,能够承受瞬间大电流冲击。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 封装坚固耐用,适合表面贴装或通孔安装应用。
这些特点使1N5819RLG成为许多高效能电子设计中的首选元器件。
1N5819RLG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的整流和续流功能。
2. 高频逆变器中的功率转换。
3. 保护电路,例如防止电池反接或负载短路。
4. 信号检波和钳位电路。
5. 太阳能电池板的旁路保护。
由于其优异的性能,该型号常用于消费类电子产品、工业设备、通信系统及汽车电子等领域。
1N5817, 1N5818, 1N5819, RB5819, SS14