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IKP10N60T 发布时间 时间:2025/6/4 21:01:30 查看 阅读:5

IKP10N60T是由Infineon(英飞凌)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于各种高效能功率转换应用中。IKP10N60T的主要特点是其出色的热性能、低开关损耗以及在高电压条件下的稳定表现。

参数

最大漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):10A
  栅极阈值电压(Vth):4V
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω
  总功耗(Ptot):200W
  工作结温范围:-55°C 至 175°C

特性

IKP10N60T具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压(600V),使其能够承受高电压环境下的运行。
  2. 较低的导通电阻(Rds(on)为3.5Ω),可以减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关特性,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
  4. 紧凑的TO-220封装形式,方便安装和散热管理。
  5. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作。
  6. 可靠性高,适用于工业级和汽车级应用领域。

应用

IKP10N60T广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器和逆变器的核心组件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 工业设备及家用电器中的负载切换。
  5. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电装置中的关键元器件。

替代型号

IRFP460, STP10NK60Z, FDP18N60

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IKP10N60T参数

  • 数据列表IKP10N60T
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型NPT、沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.05V @ 15V,10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20A
  • 功率 - 最大110W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000683062