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H9DKNNN2GJMPER-NEMR 发布时间 时间:2025/9/2 0:20:17 查看 阅读:9

H9DKNNN2GJMPER-NEMR是一款由SK海力士(SK Hynix)生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用先进的半导体制造工艺,具备低功耗和高速数据访问能力。该芯片通常用于需要大量内存支持的高性能计算设备,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及便携式电子产品。

参数

类型:DRAM
  容量:2GB(256M x 8)
  封装:BGA
  电压:1.8V
  接口:JEDEC标准接口
  温度范围:工业级温度范围
  数据传输速率:高达1600Mbps
  时钟频率:800MHz
  数据总线宽度:x8

特性

H9DKNNN2GJMPER-NEMR是一款基于LPDDR2标准的DRAM芯片,具有低电压运行的特点,有助于降低设备功耗并延长电池寿命。其2GB的存储容量可满足现代移动设备对内存容量的需求,适用于图形处理、多任务操作和高速缓存等场景。该芯片采用小型BGA封装技术,节省空间并提升设备集成度。此外,该DRAM芯片具备良好的稳定性和兼容性,支持多种主控平台,确保设备在不同工作环境下可靠运行。

应用

该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式媒体播放器以及其他需要高性能内存的嵌入式系统。此外,H9DKNNN2GJMPER-NEMR也适用于工业控制设备、汽车电子系统以及物联网(IoT)设备,提供稳定、高效的内存支持。

替代型号

H9DRNNN2GJMPER-NEMR, H9DOGN08GKMUMR-NEMR

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