IXDE504D2T/R 时间：2025/8/6 5:04:24 阅读：22

IXDE504D2T/R是一款由IXYS公司制造的双路N沟道增强型功率MOSFET驱动器集成电路。该器件主要用于高性能电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制器和逆变器等。该驱动器采用先进的高压集成电路技术，能够直接驱动两个功率MOSFET或IGBT，具有高集成度、高效率和高可靠性的特点。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2通道（双路）
　　电源电压范围：10V至20V
　　输出电流（峰值）：±4.0A（典型值）
　　传播延迟：50ns（典型值）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　驱动能力：高压侧和低压侧均支持独立驱动
　　最大工作频率：1MHz
　　栅极驱动电压范围：4.5V至20V

特性

IXDE504D2T/R具备高压侧和低压侧双路驱动能力，适用于半桥、全桥和同步整流拓扑结构。该器件内置欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止在低电压条件下误操作，提高系统稳定性。其输入逻辑与CMOS/TTL电平兼容，便于与各种控制器连接。采用先进的高压BCD工艺制造，具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
　　此外，该驱动器具有较低的传播延迟和延迟匹配时间，确保在高频开关应用中的同步性能。其输出端具备防直通设计，可有效防止上下桥臂同时导通导致的短路风险。TSSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型设计。
　　该器件还支持宽范围的电源电压输入，适应不同功率系统的需求，同时具备较高的驱动电流能力，可以快速充放电功率MOSFET的栅极电容，从而降低开关损耗并提高系统效率。

应用

IXDE504D2T/R广泛应用于各种电力电子系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、工业自动化控制系统和电池管理系统等。其高集成度和高性能特性使其成为高效、高频开关应用的理想选择。例如，在同步整流电路中，该驱动器可以有效提升整流效率；在半桥拓扑结构中，可用于驱动上下桥臂的功率开关，实现高效能的能量转换。