RF5643SR 时间：2025/8/15 20:15:24 阅读：24

RF5643SR 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频（RF）晶体管，专为高频功率放大应用而设计。该器件采用先进的 GaAs（砷化镓）异质结双极晶体管（HBT）技术制造，能够在高频范围内提供高线性度和高效率的性能。RF5643SR 特别适用于无线基础设施、基站、工业和科学仪器等领域的射频功率放大器设计。该器件封装在小型表面贴装封装（SMD）中，便于在现代射频系统中集成。

参数

频率范围：800MHz - 1000MHz
　　输出功率：30dBm（典型值）
　　增益：18dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　工作电压：+5V
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　封装类型：SMD
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF5643SR 具备出色的线性度和效率，使其成为用于多载波通信系统和高功率射频应用的理想选择。该器件的 GaAs HBT 技术提供了良好的热稳定性和高可靠性，确保在高功率工作条件下的长期稳定性。此外，RF5643SR 在工作频率范围内具有良好的输入/输出回波损耗，减少了对额外匹配网络的需求，简化了电路设计。其低热阻设计有助于降低工作温度，提高整体系统的热管理和可靠性。
　　该晶体管在设计上优化了高频性能，使其能够在 800MHz 至 1000MHz 的范围内保持高增益和稳定输出功率。RF5643SR 的表面贴装封装不仅节省了电路板空间，还提高了制造和装配的效率。器件内部集成了偏置电路，使得设计者可以方便地调整工作点以适应不同的应用需求。同时，RF5643SR 具有良好的抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持稳定的工作性能。

应用

RF5643SR 主要用于无线通信系统中的射频功率放大器模块，包括 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等移动通信基站设备。此外，它还适用于测试仪器、工业控制设备、雷达系统、广播系统等需要高线性度和高效率射频放大的场合。该器件的小型化封装设计也使其适用于对空间要求较高的便携式射频设备和模块化通信设备。