LSF0204RUTR 时间：2025/4/28 20:53:31 阅读：2

LSF0204RUTR 是一款小尺寸、低电感的功率 MOSFET 芯片，采用超薄 UT（Ultra Thin）封装形式。该芯片基于先进的半导体制造工艺，具有出色的开关性能和导通特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。其封装设计优化了散热性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
　　LSF0204RUTR 的主要特点是低 RDS(on) 和极小的寄生电感，这使得它在高频工作条件下仍能保持高效的性能表现。

参数

型号：LSF0204RUTR
　　封装：UT (Ultra Thin)
　　VDS（漏源电压）：30V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.6mΩ
　　ID（持续漏电流）：150A
　　Qg（总栅极电荷）：30nC
　　EAS（雪崩能量）：125mJ
　　fSW（推荐开关频率）：高达 2MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　结温：+175°C

特性

LSF0204RUTR 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低功率损耗。
　　2. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
　　3. 高电流承载能力，支持高达 150A 的连续漏电流。
　　4. 支持高频率操作，适合高频开关应用。
　　5. 超薄封装结构，有助于改善散热性能。
　　6. 出色的热稳定性和可靠性，能够承受较高的结温。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
　　8. 内部寄生电感极低，减少开关噪声和电压尖峰。
　　这些特点使 LSF0204RUTR 成为高效功率转换电路的理想选择。

应用

LSF0204RUTR 广泛应用于以下场景：
　　1. 高频 DC-DC 转换器。
　　2. 开关电源模块中的同步整流电路。
　　3. 电动工具及电机驱动中的功率控制。
　　4. 汽车电子系统中的负载开关。
　　5. 可再生能源设备（如太阳能逆变器）中的功率管理。
　　6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
　　由于其高效率和紧凑的设计，LSF0204RUTR 在需要高性能功率处理和空间受限的应用中表现出色。