时间：2025/5/14 17:26:48
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LDK105CBJ106MVLF 是一款由 LDK 公司生产的高性能功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以确保其在高电压和大电流应用中的优异表现。该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET 类型，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
型号：LDK105CBJ106MVLF
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源极击穿电压）：1050V
Rds(on)（导通电阻）：0.106Ω
Id（连续漏极电流）：16A
Qg（栅极电荷）：85nC
f（工作频率范围）：最高 100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LDK105CBJ106MVLF 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其 Vds 达到 1050V，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：Rds(on) 仅为 0.106Ω，在高电流下可以减少功率损耗。
3. 快速开关速度：低栅极电荷 Qg 和优化的内部结构使其具备快速的开关性能。
4. 出色的热稳定性：采用 TO-247 封装形式，能够有效散热并支持长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围：可以在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中正常工作，适应多种恶劣条件。
6. 可靠性高：通过了多项测试认证，确保在各种应用场景中的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：用于开关电源、不间断电源 (UPS) 等设备。
2. 电机驱动：适用于工业自动化中的电机控制模块。
3. DC-DC 转换器：在汽车电子和通信设备中提供高效的电压转换功能。
4. 太阳能逆变器：作为核心功率器件参与能量转换过程。
5. 高频电源设计：凭借其快速开关特性和高效率特点，满足高频电路需求。
IRFP460, STP16NM60E
