LMBTABLT/G 时间：2025/8/13 1:58:31 阅读：24

LMBTABLT/G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一种双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。这种晶体管设计用于高频率和低噪声应用，例如在射频（RF）放大器、前置放大器、音频放大器以及其他需要低噪声性能的电路中。该器件采用 SOT-23 封装，具有良好的热稳定性和高频响应。LMBTABLT/G 是工业级标准晶体管之一，常用于通信设备、传感器、音频系统和消费类电子产品中。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：50 V
　　最大功耗：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　噪声系数：约 1 dB（典型值）

特性

LMBTABLT/G 晶体管具有多项优异特性，使其在多种应用中表现突出。首先，其低噪声系数（约 1 dB）使其非常适合用于前置放大器和射频接收器等对噪声敏感的应用。其次，该晶体管具有宽广的电流增益范围（hFE 为 110-800），使其能够适应不同的偏置条件和放大需求。此外，LMBTABLT/G 的 fT（增益带宽积）达到 100 MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的放大性能，适用于射频和中频放大电路。SOT-23 小型封装使其适用于高密度 PCB 布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。由于其良好的频率响应和线性度，LMBTABLT/G 也常用于音频放大电路，以提供高质量的声音输出。

应用

LMBTABLT/G 主要应用于需要低噪声、高频率响应和良好增益稳定性的电子电路中。例如，在无线通信系统中，它可用于射频前置放大器或混频器电路，以提高接收信号的灵敏度。在音频设备中，LMBTABLT/G 常用于麦克风前置放大器、音频缓冲器和低噪声放大器，以提供高保真音质。此外，该晶体管还可用于传感器接口电路、电压调节器、模拟开关和逻辑电路中。由于其 SOT-23 小型封装形式，LMBTABLT/G 在便携式电子设备和嵌入式系统中也得到了广泛应用。