时间：2025/8/5 20:50:49
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IXYH120N65C3是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的CoolMOS? C3技术，具备优异的导通和开关性能，适用于高效率电源转换应用。其额定电压为650V，连续漏极电流可达120A，适合用于各种高功率和高频率的开关电源设计中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：120A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 10mA
导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ @ Vgs=10V
最大功耗（Ptot）：350W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IXYH120N65C3采用了Infineon的CoolMOS?技术，使其在导通电阻和开关损耗之间达到了最佳平衡。与传统MOSFET相比，该器件的导通损耗更低，同时具备优异的高频开关性能，从而提高了整体系统的效率。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合高功率密度应用。此外，其较高的击穿电压裕量和良好的热稳定性使其在严苛的工作环境下依然能够保持稳定运行。
在可靠性方面，IXYH120N65C3通过了多项工业级测试，具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于需要高可靠性的电源系统。该器件还支持并联使用，以满足更高功率需求的应用场景。
IXYH120N65C3广泛应用于各种高功率开关电源、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业电机控制等领域。
在服务器电源和通信电源中，该MOSFET可以作为主开关器件，实现高效率的能量转换。在太阳能逆变器中，它可用于DC-AC转换部分，提升系统的整体能效。此外，它也适用于各类高频开关电源拓扑，如LLC谐振变换器、半桥和全桥拓扑等。
由于其高电流能力和良好的热性能，该器件在电动汽车充电设备、储能系统以及电机驱动系统中也有广泛应用。其优异的开关特性和可靠性使其成为许多高性能电源设计的首选。
IXFN120N65X2, IPP120N65C3, IXYH120N65B3
