时间：2025/9/14 0:26:08
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PDTC114ET-QR是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频率和低噪声应用，广泛应用于射频（RF）放大器、低噪声前置放大器、通信设备以及其他需要高性能晶体管的电子系统中。该晶体管采用SOT-23封装，具有小型化、高可靠性和良好的热稳定性等优点。
晶体管类型：NPN BJT
频率范围：100 MHz至1 GHz
增益（hFE）：典型值为100 @ Ic=2 mA
集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
集电极电流（Ic）：最大100 mA
功耗（Ptot）：300 mW
过渡频率（fT）：8 GHz
噪声系数（NF）：0.85 dB @ 1 GHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
PDTC114ET-QR具有多项优异的电气特性，使其在高频和低噪声应用场景中表现出色。首先，其过渡频率（fT）高达8 GHz，使其适用于高频放大和射频电路。其次，该晶体管的噪声系数在1 GHz频率下仅为0.85 dB，适用于对噪声敏感的接收前端设计。此外，其hFE（电流增益）在典型工作条件下可达100，确保了良好的信号放大能力。
在结构方面，PDTC114ET-QR采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻、便于表面贴装等优点，适用于高密度PCB布局。其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，适用于中等功率的放大和开关应用。同时，其最大功耗为300 mW，在高温环境下仍能保持稳定运行。
该晶体管还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适用于工业级和汽车电子应用。其低噪声特性结合高频响应，使其成为无线通信、卫星接收器、射频识别（RFID）、测试设备等领域的理想选择。
PDTC114ET-QR主要应用于需要高频率和低噪声放大的电子系统中。典型应用包括射频（RF）放大器、低噪声前置放大器、无线通信接收器、卫星和微波通信设备、射频识别（RFID）系统、测试与测量仪器以及各类便携式通信设备。由于其良好的频率响应和稳定性，该晶体管也常用于音频放大器中的高频补偿电路以及高速开关电路中。
BFU520, BFG21, BFR106, 2N3904
