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W632GU6NB-09 发布时间 时间:2025/8/21 3:21:17 查看 阅读:24

W632GU6NB-09 是一种由 Winbond 公司生产的 NOR 闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统、存储设备和其他需要非易失性存储器的场合。该芯片具有高性能和高可靠性的特点,适合用于代码存储和数据存储。

参数

存储类型:NOR 闪存
  容量:256 Mbit
  组织结构:32 MB x8 / 16 MB x16
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:56-TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行

特性

W632GU6NB-09 的 NOR 闪存技术使其能够提供快速的随机读取访问速度,非常适合用于执行代码的应用。该芯片支持高性能读取操作,确保系统能够快速启动和运行。此外,其宽温度范围和工业级可靠性使其适用于各种严苛环境。
  这款 NOR 闪存芯片具备低功耗设计,适合电池供电设备使用。其 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围增强了设计的灵活性,并提高了与其他系统的兼容性。封装采用 56-TSOP 形式,便于安装和集成到 PCB 上。
  W632GU6NB-09 支持多种操作模式,包括读取、编程和擦除。擦除操作可以在整个芯片或按扇区进行,提供灵活的数据管理能力。其高速访问时间(70ns)确保了快速的数据检索,适用于实时系统和需要快速响应的应用场景。

应用

W632GU6NB-09 常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信模块、消费电子产品(如数码相机和便携式设备)中的代码存储和数据存储。它也可用于需要固件存储和频繁更新的场合,例如路由器、智能卡读写器和汽车电子系统。

替代型号

W25Q256JV, MX25L25635E, S29GL256S

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W632GU6NB-09参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格198 : ¥38.59318托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.067 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)