时间：2025/8/6 6:00:43
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IXXK100N60C3H1 是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。IXXK100N60C3H1 适用于电源转换器、电机控制、工业自动化设备和可再生能源系统等需要高效能功率管理的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.125Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
引脚数：3
功率耗散（PD）：300W
IXXK100N60C3H1 具备一系列优异的电气和热性能，使其在高压高电流应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流条件下较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了更高的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
此外，IXXK100N60C3H1 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，其最大工作温度可达150°C。这种特性使其非常适合用于需要长时间连续运行的工业设备和电源系统。同时，该器件的封装形式为TO-247，这种封装结构提供了良好的散热性能，有助于进一步提升器件的热管理能力。
该MOSFET还具备较强的过载和短路保护能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。这使得IXXK100N60C3H1 在电机驱动、电源供应和工业自动化等应用中具备更高的可靠性和耐用性。
IXXK100N60C3H1 主要用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。典型应用包括但不限于：电源供应器中的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动器、工业自动化设备、焊接设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电控制系统。此外，该MOSFET还可用于电动汽车充电设备、电池管理系统（BMS）以及高功率LED照明系统等新兴领域。
IXFN100N60P3, IRFP4668, STP100N6F6
