时间：2025/9/15 3:32:12
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PMV50UPE是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和高开关性能，使其在低电压应用中表现优异。PMV50UPE广泛用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器以及电池供电设备。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-5.0A
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为32mΩ @ VGS = -4.5V，40mΩ @ VGS = -2.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT457（TSOP6）
PMV50UPE具备优异的导通性能和开关速度，适用于要求高效率和低功耗的应用场景。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统能效。器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供更小的晶粒尺寸和更高的集成度，同时保持良好的热稳定性。PMV50UPE的栅极驱动电压范围较宽，支持从-2.5V到-12V的栅极电压操作，使其兼容多种控制电路。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，确保在严苛环境下的稳定运行。
在热性能方面，PMV50UPE采用了优化的封装设计，提供较低的热阻，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的温升。其封装材料符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，适合绿色电子产品设计。此外，该MOSFET具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业级和消费类电子产品。
该器件的封装形式SOT457（TSOP6）为小型化设计提供了便利，适合在空间受限的PCB布局中使用。其低高度封装也适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
PMV50UPE广泛应用于各类电子设备的电源管理系统中，如负载开关、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及电源管理单元（PMU）。其高效率和低功耗特性使其成为便携式设备、手持设备、智能家居产品和工业控制系统中的理想选择。此外，该器件也可用于电机驱动、LED驱动器以及各类低电压功率控制电路。
Si2301DS、AO4406A、FDV303P、TPC8104-H、DMG2305UX-7
