时间：2025/6/22 5:44:16
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FN18N222F250PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沣道晶体管。该晶体管属于功率 MOSFET 类型，广泛应用于需要高效率和低导通损耗的场景中。其设计目标是提供优异的性能表现，在高频开关应用中尤为突出。
该器件采用 TO-247 封装形式，具备较高的电流承载能力和耐压水平，适合工业、汽车以及消费类电子设备中的电源管理与转换应用。
最大漏源电压：222V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：25nC
导通电阻：0.25Ω
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-247
FN18N222F250PBG 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达 222V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型条件下，其导通电阻仅为 0.25Ω，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关能力：由于其优化的栅极电荷设计，使得该器件能够在高频应用中表现出色，同时降低开关损耗。
4. 稳定性强：能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内正常运行，保证了极端条件下的可靠性。
5. 低反向恢复电荷：有助于减少开关过程中的能量损失，提高整体性能。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
FN18N222F250PBG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于 AC/DC 或 DC/DC 转换器中作为主开关元件。
2. 电机驱动：适用于各种类型的电机控制，例如伺服电机或步进电机。
3. 工业逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力转换设备中使用。
4. UPS 系统：不间断电源中起到关键作用的功率开关元件。
5. 汽车电子：包括电动助力转向系统、制动系统等对功率和可靠性要求较高的场合。
6. LED 驱动器：为大功率 LED 提供高效稳定的电流输出。
IRFP250N, STW119N25M5, FDP18N222
