类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：70nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散(Pd)：100W

SDS065J010N3-ISATH 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在10V栅极驱动电压下表现出优异的导通性能，适用于高电流负载应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行，适用于严苛的工业和汽车电子环境。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高功率应用中能够有效散发热量，延长器件寿命。同时，该封装具有良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化贴装工艺。
　　在安全性和可靠性方面，SDS065J010N3-ISATH 具有良好的雪崩能量承受能力，可在过压或瞬态条件下提供一定的保护能力，降低因瞬态电压引起的器件失效风险。

SDS065J010N3-ISATH 适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关应用。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。
　　在新能源领域，该MOSFET也可用于太阳能逆变器、储能系统以及智能电网设备中的功率管理模块。
　　此外，该器件还可用于高功率LED照明驱动电路、服务器电源模块以及高性能电源适配器的设计。

STL065N010M5-DS, IPB065N010N3, SDS065J010N3-IST