时间：2025/6/23 20:17:50
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SZESD7371HT1G 是一款基于硅材料的高效瞬态电压抑制器 (TVS) 芯片，专为保护电子电路免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和其他瞬时电压冲击而设计。该芯片具有低电容和快速响应时间，适合用于高速数据线和射频信号线的保护。其封装形式为 SOT-23，能够节省空间并简化设计。该器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中。
工作电压：±7V
峰值脉冲电流：3.5A
钳位电压：14.8V
响应时间：1ps
结电容：0.6pF
最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
SZESD7371HT1G 提供了卓越的 ESD 和浪涌保护性能。它具有极低的电容值，可以最大限度地减少对高速信号完整性的影响。同时，该芯片具备超快的响应速度，能够在瞬态事件发生时迅速将过压箝位到安全水平，从而有效保护后端电路。此外，其紧凑的 SOT-23 封装使其非常适合于空间受限的应用场景。
主要特点包括：
- 高度可靠的双向保护功能
- 符合 IEC61000-4-2 国际标准（接触放电 ±15kV，空气放电 ±15kV）
- 极低漏电流以减少功耗
- 宽温度范围适应性，适用于恶劣环境
- 稳定的电气性能确保长期可靠性
该芯片广泛应用于需要保护敏感电子元件免受瞬态电压影响的场合。具体应用领域包括：
- USB 接口、HDMI 接口、以太网接口等高速数据传输线路的 ESD 保护
- 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的射频信号路径保护
- 工业自动化系统中的控制信号线防护
- 汽车电子模块的抗干扰设计
- 无线通信基站和网络设备中的浪涌防护
PESD7V1GA,
SZESD7371BT1G,
SMS7630-029T1G
