类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：45A
　　脉冲漏极电流（IDM）：180A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)典型值：7.5mΩ @ VGS=10V, ID=22.5A
　　导通电阻RDS(on)最大值：9.5mΩ @ VGS=10V, ID=22.5A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2350pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电荷（Qgd）：43nC @ VDS=15V, ID=22.5A
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：LFPAK (Power-SO8)

PHP45N03LTA采用NXP先进的TrenchMOS工艺技术，该技术通过在硅片上构建深沟槽结构来显著降低单位面积的导通电阻，从而实现超低RDS(on)特性。这种结构不仅提高了载流子迁移效率，还增强了器件的电流密度和热稳定性。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为9.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少大电流条件下的功率损耗，提升系统能效。器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持与逻辑电平信号直接驱动兼容，适用于微控制器或PWM控制器输出直接控制的应用场景，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，输入电容Ciss为2350pF，栅漏电荷Qgd为43nC，这些参数经过优化以平衡开关速度与EMI干扰之间的关系，确保在高频DC-DC变换器中实现快速响应的同时避免过高的电压尖峰。其反向恢复时间trr为28ns，体二极管具有较快的恢复特性，减少了在同步整流或H桥应用中的交叉导通风险。LFPAK封装是一种底部散热的小外形封装，相比传统TO-252或DPAK封装，具有更低的热阻（典型Rth(j-mb)约1.5K/W），可有效将热量传导至PCB，提升散热效率，同时节省宝贵的PCB空间。
　　PHP45N03LTA具备高可靠性设计，能够承受一定的雪崩能量，表现出良好的鲁棒性。其绝对最大结温高达+175°C，允许在高温环境下长期运行，适用于严苛工况下的工业和汽车电子系统。器件通过AEC-Q101车规认证，满足汽车级应用的质量与可靠性要求，可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、车灯控制模块等。此外，该MOSFET内置的ESD保护结构可承受超过2kV的HBM静电放电，提升了生产装配过程中的安全性。所有材料均符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造需求。

PHP45N03LTA广泛应用于需要高效、高电流开关能力的低压电源系统中。常见于同步降压型DC-DC转换器，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适合用于服务器主板、通信基站、FPGA和CPU供电模块中的多相VRM设计。其低导通电阻和优良的热性能使其成为电池管理系统（BMS）中理想的选择，可用于充放电回路的通断控制，有效降低能量损耗并延长电池续航时间。在电机驱动领域，该器件可用于直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和稳定的电流输出。
　　在汽车电子方面，PHP45N03LTA可用于车载充电机（OBC）、车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降器等负载开关应用，凭借其高电流承载能力和紧凑封装，能够在有限空间内实现高性能控制。此外，它也适用于工业自动化设备中的电源分配单元、PLC模块和继电器替代方案，实现固态开关功能，提高系统响应速度和寿命。在消费类电子产品中，如高端笔记本电脑、游戏主机和智能家电的电源管理单元中，该MOSFET可用于电池保护电路或多路电源切换，保障设备运行的安全性与稳定性。由于其支持逻辑电平驱动，也可被用于微处理器外围的GPIO扩展驱动电路，直接控制大功率负载。

PMBT45N03L,PSMN03RDE