时间：2025/8/6 7:44:27
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IXTQ82N25是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于高效能和高可靠性，适用于需要大电流和高压能力的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：250V
漏极电流（Id）：82A
导通电阻（Rds(on)）：约0.034Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247AC
IXTQ82N25具备低导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流能力和优异的热性能，适用于高功率密度设计。
其高可靠性与耐用性使其在恶劣的工作环境中也能保持稳定运行。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用。
该器件采用了先进的平面技术，确保了器件在高电压和大电流条件下的稳定性和性能。
IXTQ82N25广泛应用于各种高功率电子设备，如电源转换器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。
由于其优异的性能和可靠性，它也适用于需要高效能和高稳定性的消费类和工业类电子产品。
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