时间：2025/7/1 2:41:14
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SIF7N65W是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效能开关的场景。该器件采用N沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
SIF7N65W的最大漏源电压为700V，这使其非常适合在高电压环境下工作。同时，其优异的热特性和封装设计可以确保在较高电流下的稳定运行。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：6.2A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：1.6Ω
总功耗：18W
结温范围：-55℃~+150℃
1. 高耐压能力，适合多种高压应用环境。
2. 低导通电阻，减少传导损耗。
3. 快速开关特性，有助于提高整体系统效率。
4. 较小的栅极电荷，降低驱动功耗。
5. 稳定的热性能，适应较宽的工作温度范围。
6. 具备雪崩能量承受能力，增强可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 逆变器
5. 荧光灯电子镇流器
6. 工业控制设备中的功率管理模块
IRF740, STP75N7F, FDP75N7L
