时间：2025/11/5 21:45:34
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X803832768KGD4GI 是一款由 Renesas（瑞萨）生产的高性能、高密度的静态随机存取存储器（SRAM）器件，属于其 Zero Bus Turnaround (ZBT) SRAM 系列产品之一。该器件专为需要极低延迟和高带宽数据传输的应用而设计，广泛应用于通信、网络设备、工业控制以及高性能计算系统中。作为一款同步突发模式 SRAM，X803832768KGD4GI 支持无总线回转架构，能够在连续读写操作之间实现零等待周期，从而显著提升系统整体性能。其封装形式为标准的 BGA（球栅阵列），有助于在高密度 PCB 设计中实现更优的信号完整性和散热性能。该芯片工作电压通常为 1.8V ±5%，符合现代低功耗电子系统的能效要求，并支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行。此外，X803832768KGD4GI 提供了先进的刷新机制与低功耗待机模式，在保证高性能的同时兼顾节能需求，适用于对实时性与可靠性有严格要求的嵌入式系统设计场景。
型号：X803832768KGD4GI
制造商：Renesas Electronics
产品系列：ZBT SRAM
存储容量：32Mb（2M x 16位）
电源电压：1.8V ±5%
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：BGA, 165-ball
访问时间：最快可达 4ns
时钟频率：最高支持 250MHz
接口类型：并行同步接口
数据总线宽度：16位
读写模式：突发长度可配置（1、2、4、8、整页）
输入/输出电平：LVTTL/CMOS 兼容
功耗模式：支持自动低功耗待机（Sleep Mode）
总线保持功能：支持零总线回转（Zero Bus Turnaround）
刷新机制：无需外部刷新（SRAM 特性）
封装尺寸：约 13mm x 15mm
X803832768KGD4GI 的核心特性在于其 Zero Bus Turnaround（ZBT）架构设计，这一技术使得在连续的读写操作之间无需插入任何等待或空闲周期，极大提升了数据吞吐效率，特别适合用于高速缓存、数据缓冲和实时信号处理等对响应速度极为敏感的应用环境。
该器件采用同步时钟驱动方式，所有输入输出操作均与时钟上升沿对齐，确保了精确的时序控制与系统同步能力。其支持多种突发长度配置，包括突发长度为1、2、4、8以及全页模式，用户可根据具体应用需求灵活设置，以优化带宽利用率和访问效率。
为了适应现代低功耗设计趋势，X803832768KGD4GI 集成了智能电源管理机制，包含深度睡眠模式（Deep Power-down Mode）和轻度待机模式，当系统处于非活跃状态时，芯片可自动进入低功耗模式，显著降低静态电流消耗，同时仍能在接收到有效命令后迅速恢复至正常工作状态。
在电气特性方面，该 SRAM 支持 LVTTL 和 CMOS 电平兼容的 I/O 接口，便于与多种主流处理器、FPGA 和 ASIC 器件直接连接，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
此外，其 BGA 封装结构提供了优异的热传导性能和高频信号完整性，配合短引脚设计有效减少了寄生电感与电容效应，提升了高频下的稳定性与抗干扰能力。整个器件通过了严格的工业级认证，具备出色的抗振动、抗冲击和长期运行可靠性，适用于电信基站、路由器、交换机、测试测量仪器等关键基础设施领域。
X803832768KGD4GI 广泛应用于需要高速、低延迟内存访问的通信与网络设备中，例如核心路由器、多层交换机、光纤通道接口模块以及无线基站中的前传和中传单元。其零总线回转特性和高带宽能力使其成为构建高效数据包缓冲区、队列管理单元和实时协议处理引擎的理想选择。
在工业自动化领域，该芯片可用于高性能 PLC 控制器、运动控制卡和机器视觉系统，用作图像帧缓存或指令预取缓冲，保障控制系统在高负载下依然保持毫秒级响应精度。
此外，在测试与测量设备如高速示波器、逻辑分析仪和信号发生器中，X803832768KGD4GI 可作为临时采样数据存储单元，支持连续高速数据采集而不丢失关键信息。
由于其支持工业级温度范围和高可靠性设计，也适用于航空航天、轨道交通和电力监控等严苛环境下的嵌入式系统，承担关键任务的数据暂存与快速检索功能。
CYZB32V16A-4AXI
