时间：2025/5/20 17:16:07
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BS83B16C是一款高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有高速读写能力和高可靠性，广泛应用于需要快速数据访问和存储的场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造，具备出色的电气特性和环境适应能力。
BS83B16C的主要特点包括快速访问时间、低功耗工作模式以及高密度存储容量。它通常用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及其他需要高效数据管理的应用领域。
存储容量：16K x 8位
访问时间：70ns
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作电流：2mA（典型值）
待机电流：1μA（最大值）
封装形式：SOIC-28, TSSOP-28
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
BS83B16C提供16K x 8位的存储容量，能够满足大多数中等规模数据存储需求。
其70ns的快速访问时间确保了高效的性能表现，在高频应用环境下尤为突出。
支持宽范围的工作电压（2.7V至3.6V），使芯片能够在多种供电条件下稳定运行。
低功耗设计显著降低了能源消耗，特别是在待机模式下仅需1μA的电流，非常适合电池供电设备。
该芯片还具备出色的抗干扰能力和可靠性，适合在严苛的工业环境中使用。
BS83B16C适用于多种电子设备和系统，例如：
工业自动化控制器中的数据缓冲和暂存。
通信设备中的协议处理和数据传输缓存。
消费类电子产品如打印机、扫描仪中的临时数据存储。
医疗设备中的数据记录与处理。
嵌入式系统的内存扩展模块，为处理器提供更多可用存储空间。
CY62167EVC-70LLT-X
AS6C8316-YT
IS61LV256AL-70TLI
