CXK5T16100TM-10LLX 是一款由 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies)推出的高性能 SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该器件属于其 HyperRAM? 产品系列,专为需要高速数据访问和低引脚数接口的应用设计。HyperRAM 是一种低引脚数、自刷新的DRAM,具有类似于SRAM的易用性,同时具备DRAM的高密度和低成本优势。CXK5T16100TM-10LLX 的容量为16Mb(1MB),采用16位数据总线,适用于嵌入式系统、工业控制、网络设备、消费类电子产品等需要中等容量内存缓存或扩展内存的应用场景。
容量:16Mb (1MB)
架构:x16
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度:-40°C 至 +85°C
最大工作频率:166MHz
接口类型:异步SRAM接口
封装尺寸:54-TSOP
刷新模式:自刷新
数据保持电压:1.5V(最小)
CXK5T16100TM-10LLX 是一款高性能、低功耗的HyperRAM存储器芯片,其核心特性包括高速访问、宽电压范围、自刷新功能和紧凑的封装设计。该芯片的异步SRAM接口使其能够兼容多种主控芯片,无需复杂的控制器逻辑,简化了系统设计。由于其自刷新技术,HyperRAM能够在不使用外部控制器刷新逻辑的情况下维持数据完整性,从而降低了系统复杂性和功耗。
此外,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同应用环境中的适应性,使其能够在多种电源条件下稳定工作。CXK5T16100TM-10LLX 的高集成度和低引脚数设计使其成为替代传统异步SRAM或扩展嵌入式系统内存的理想选择。
其TSOP封装形式不仅有助于提高散热性能,还能节省PCB空间,适用于对空间敏感的设计。工作温度范围从-40°C至+85°C,确保了其在恶劣工业环境中的稳定运行。
CXK5T16100TM-10LLX 主要用于需要高速数据缓存或临时存储的应用场景,包括但不限于嵌入式系统、图像处理模块、工业自动化控制器、通信设备、消费电子产品(如打印机、扫描仪)、网络设备(如路由器、交换机)以及测试测量仪器等。由于其自刷新功能和低引脚数接口,特别适合用于需要扩展内存但又希望避免使用复杂DRAM控制器的系统设计。
Cypress(Infineon)的 CXK5T16100TM-10LLX 可以被以下型号在特定应用中替代,包括 Cypress 其他容量和速度等级的 HyperRAM 芯片,如 CY16B108VLL 和 CY16B109VLL。此外,某些应用中也可以考虑使用异步SRAM芯片,如 ISSI 的 IS61LV25616-10BLL 或类似的16位异步SRAM器件。但需注意接口、时序、功耗和容量的匹配,确保系统兼容性和稳定性。