时间：2025/6/19 15:03:50
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DMPH4015SSSQ是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种功率管理及高效能转换应用。其封装形式为SOT-23-6L，非常适合空间受限的设计环境。
这款MOSFET特别适合用作负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动等应用中的功率级开关元件。
型号：DMPH4015SSSQ
类型：N-Channel MOSFET
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V（典型值）
Rds(on)（导通电阻）：7mΩ @ Vgs=4.5V
最大漏源电压Vds：30V
最大连续漏电流Id：4A
功耗Pd：820mW（Ta=25℃）
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装：SOT-23-6L
DMPH4015SSSQ具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用需求。
3. 小巧的SOT-23-6L封装，节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 支持低至1.2V的栅极驱动电压，便于与现代低压逻辑电路兼容。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特性使DMPH4015SSSQ成为需要高性能、高效率和小型化解决方案的理想选择。
DMPH4015SSSQ广泛应用于以下几个领域：
1. 消费类电子设备中的负载开关和电源管理。
2. 移动设备和便携式设备的电池保护和充电控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流和功率开关。
4. 电机驱动和继电器控制。
5. 照明系统中的调光和调压控制。
由于其出色的性能和紧凑的封装设计，DMPH4015SSSQ在各类对效率和尺寸有严格要求的应用中表现出色。
DMN2990USN-13
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SiA447DJ
FDS6680
