IXTQ130N10T 时间：2025/8/6 13:03:15 阅读：36

IXTQ130N10T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电流、高功率的应用场景，如电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和工业自动化设备等。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合需要高效能和高可靠性的系统设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：130A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：5.5mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

IXTQ130N10T MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(ON)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达 130A 的连续漏极电流，适用于高功率应用。其最大漏源电压为 100V，栅源电压范围为 ±20V，确保了在各种工作条件下的稳定性。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其高功率耗散能力（300W）使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，IXTQ130N10T 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高系统的响应速度。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），适用于严苛的工业环境。

应用

IXTQ130N10T 主要用于高功率和高电流的应用场景。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理系统、工业自动化设备和电池管理系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在需要高效能和高可靠性的系统中表现出色。
　　在电源管理领域，该 MOSFET 可用于设计高效的开关电源（SMPS），提供稳定的电压输出。在电机控制中，它能够驱动大功率电机，实现精确的速度和扭矩控制。
　　此外，该器件也适用于电动汽车和储能系统中的电池管理系统，帮助实现高效的能量管理和分配。