DRT1-TS04P 时间：2025/12/27 0:18:10 阅读：12

DRT1-TS04P是一款由东芝（Toshiba）推出的光继电器（Photo Relay）器件，广泛应用于需要固态开关功能的电路中。该器件结合了发光二极管（LED）与光电检测器，通过内部的MOSFET输出结构实现无触点开关控制，具有长寿命、低噪声和高可靠性等优点。DRT1-TS04P采用小型化表面贴装封装（如S-VSON4或类似4引脚超薄封装），适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。其工作原理是：当输入端的LED被正向偏置点亮时，发出的光触发内部的光敏MOSFET结构，从而导通输出端的负载电路。由于输入与输出之间通过光进行隔离，因此具备良好的电气隔离性能，典型隔离电压可达数千伏，适用于需要安全隔离的应用场景。此外，DRT1-TS04P具备较低的导通电阻和较快的开关速度，能够胜任模拟信号切换、测试测量设备中的通道选择以及工业自动化控制等多种任务。

参数

类型：光继电器（MOSFET输出）
　　通道数：1（单通道）
　　封装形式：S-VSON4（小型无引线封装）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V（最大值）
　　连续负载电流（ID）：120 mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：1.5 Ω（典型值，@ IF = 5 mA）
　　截止状态漏电流（IDOFF）：1 μA（最大值）
　　响应时间（Turn-on Time）：3 ms（最大值）
　　响应时间（Turn-off Time）：1 ms（最大值）
　　隔离电压（Viso）：2500 Vrms（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电源电压（VCC）：无需外部电源（自驱动型）

特性

DRT1-TS04P光继电器的核心优势在于其基于光电MOSFET技术的输出结构，使其能够在无需外部驱动电路的情况下实现高效、稳定的开关操作。该器件的输入侧采用标准红外LED，可直接由微控制器GPIO口或逻辑电平信号驱动，通常只需5mA左右的驱动电流即可确保完全导通，兼容TTL和CMOS电平系统，简化了接口设计。输出侧则采用一对背对背连接的MOSFET结构，支持交流和直流负载的双向切换，扩展了其在模拟信号路径中的适用性。
　　该器件具有非常低的导通电阻（典型值1.5Ω），这意味着在导通状态下产生的电压降和功率损耗极小，有助于提高系统的能效并减少发热问题。同时，由于没有机械触点，避免了传统电磁继电器常见的弹跳、磨损和电弧等问题，显著提升了使用寿命和可靠性，尤其适合频繁切换的应用场合。
　　DRT1-TS04P还具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达2500Vrms，符合多项国际安全标准，可用于医疗设备、工业控制系统等对绝缘要求严格的领域。其快速的响应时间（开通时间≤3ms，关断时间≤1ms）使得它能够胜任中高速信号切换任务，例如自动测试设备（ATE）中的多路复用器控制或PLC模块中的数字I/O扩展。
　　此外，该器件采用S-VSON4小型封装，尺寸紧凑，有利于节省PCB布局空间，特别适合便携式设备、通信模块和高集成度电子产品。工作温度范围宽达-40°C至+110°C，保证了在恶劣环境下的稳定运行。整体而言，DRT1-TS04P是一款集小型化、高性能与高可靠性于一体的现代光继电器解决方案，适用于多种需要固态开关替代传统机械继电器的场景。

应用

DRT1-TS04P光继电器广泛应用于多个电子系统领域。在工业自动化中，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块中，作为数字信号的隔离与驱动元件，实现对外部传感器或执行器的安全控制。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器开关阵列，DRT1-TS04P凭借其低导通电阻和双向导电能力，能够精确地切换模拟或数字信号路径，保障信号完整性。消费类电子产品中，该器件可用于音频/视频信号的选择开关、电池供电设备中的电源路径管理等，利用其低功耗和小体积优势提升产品集成度。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和无机械磨损特性，DRT1-TS04P可用于患者连接设备的信号隔离部分，满足安全规范要求。此外，在通信系统、楼宇自动化、安防监控等领域，该器件也常用于实现远程控制信号的电气隔离传输。随着电子系统对可靠性和寿命要求的不断提高，DRT1-TS04P正逐步取代传统电磁继电器，成为现代固态开关设计的重要选择之一。