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QJ6025RH4TP 发布时间 时间:2025/8/5 14:19:18 查看 阅读:27

QJ6025RH4TP 是一款由国产厂商生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的平面工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于中高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):25A(在25℃)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为25mΩ(在Vgs=10V)
  最大功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)
  引脚数:3
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

QJ6025RH4TP具有多项优异的电气和热性能,适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的平面工艺,确保了高可靠性和稳定性。QJ6025RH4TP支持高栅极电压驱动(最高可达20V),提供更强的导通能力。其TO-252封装设计具备良好的散热性能,有助于在高电流条件下保持较低的工作温度。此外,该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC降压/升压变换器和电池管理系统。QJ6025RH4TP还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,增强了系统的安全性和耐用性。

应用

QJ6025RH4TP广泛应用于各类功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色。此外,该MOSFET也适用于需要高可靠性和稳定性的车载电子设备、通信设备和消费类电子产品。

替代型号

SI4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, AOD4144, FDS6680, AO4406

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QJ6025RH4TP参数

  • 现有数量1,000现货
  • 价格1 : ¥48.89000管件
  • 系列QJxx25xHx
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 双向可控硅类型标准
  • 电压 - 断态600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)208A,250A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值)50 mA
  • 配置单路
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220