时间：2025/8/5 14:19:18
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QJ6025RH4TP 是一款由国产厂商生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的平面工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为25mΩ（在Vgs=10V）
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
引脚数：3
安装方式：表面贴装（SMD）
QJ6025RH4TP具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面工艺，确保了高可靠性和稳定性。QJ6025RH4TP支持高栅极电压驱动（最高可达20V），提供更强的导通能力。其TO-252封装设计具备良好的散热性能，有助于在高电流条件下保持较低的工作温度。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压/升压变换器和电池管理系统。QJ6025RH4TP还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了系统的安全性和耐用性。
QJ6025RH4TP广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和稳定性的车载电子设备、通信设备和消费类电子产品。
SI4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, AOD4144, FDS6680, AO4406
