时间：2025/8/10 17:00:59
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NTMP2012A-3是一款由Nexperia（安世半导体）制造的双N沟道增强型MOSFET，采用TSSOP（薄型小外形封装）封装，适用于需要高效开关性能的电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制等场合。
类型：MOSFET（N沟道）
配置：双N沟道
漏源电压（VDS）：20V
漏极电流（ID）：4A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（最大值，VGS=4.5V）
栅极电压（VGS）：±8V
功耗（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
NTMP2012A-3是一款高性能的双N沟道MOSFET，专为低电压、高效率开关应用而设计。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗最小，从而提高整体系统效率。该器件采用TSSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
这款MOSFET具备良好的热稳定性和较高的电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，其快速的开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关电路。
NTMP2012A-3在设计上采用了先进的沟槽技术，优化了电场分布，提高了器件的可靠性和耐用性。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于消费类电子、工业控制、通信设备和便携式电源管理等广泛应用。
NTMP2012A-3适用于多种电源管理与开关控制应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高效率特性使其在节能型电源系统中表现出色。
Si2302DS、AO4406、FDMS86101、NTMFS4C06N
