工作频率范围：18 - 40 GHz
　　噪声系数（Typical）：2.5 dB @ 28 GHz
　　增益（Gain）：18 dB @ 28 GHz
　　输入驻波比（Input VSWR）：< 2.0:1
　　输出驻波比（Output VSWW）：< 2.0:1
　　工作电压（Vcc）：3 V
　　静态电流（Icq）：35 mA
　　P1dB压缩点（输出）：+10 dBm @ 28 GHz
　　OIP3（三阶交调截点）：+20 dBm @ 28 GHz
　　封装类型：SOT-343（或类似微型陶瓷封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

C-Q01B-C作为一款工作于毫米波频段的低噪声放大器，在高频性能方面表现出色，尤其适用于Ku波段至Ka波段的应用场景。其核心优势在于采用了GaAs HBT半导体工艺，这种材料体系不仅具备高电子迁移率，还能有效降低寄生电容和电阻效应，从而支持极高频率下的稳定放大功能。在典型工作条件下，该器件可在18GHz至40GHz的宽频带内保持平坦的增益响应和较低的噪声水平，这对于多通道宽带接收系统尤为重要。
　　该芯片的输入匹配设计经过优化，无需外部复杂的匹配元件即可实现良好的阻抗匹配，减少了PCB布局难度并提高了整体系统可靠性。同时，C-Q01B-C内置偏置电路结构，可通过简单的电阻分压或射频扼流方式供电，简化了电源设计流程。其静态电流仅为35mA左右，在保证高性能的同时兼顾功耗效率，适用于电池供电或热管理严格的设备环境。
　　另一个关键特性是其出色的线性度指标，OIP3达到+20dBm，表明其在强信号环境下仍能维持较低的互调失真，避免邻道干扰问题。此外，该器件具有较高的反向隔离度，有助于防止后续级联电路对前级造成影响，提升了系统的稳定性。C-Q01B-C还具备良好的ESD防护能力，符合行业标准，适合自动化贴片生产流程。
　　在封装方面，采用小型化陶瓷或塑料SMD封装，尺寸紧凑（通常小于2mm x 2mm），有利于高密度集成，并支持回流焊工艺。综合来看，C-Q01B-C是一款面向高端射频应用的高性能LNA解决方案，适用于需要在毫米波频段实现高灵敏度接收的先进通信系统。

C-Q01B-C主要应用于高频、高性能的无线通信系统中，尤其是在毫米波频段工作的设备。其典型应用场景包括5G毫米波基站的射频前端模块，用于增强微弱信号的接收能力，提高链路预算和通信质量。在卫星通信地面站设备中，该器件可部署于上/下变频链路中作为低噪声前置放大单元，显著改善系统噪声性能，提升远距离传输的可靠性。
　　此外，该芯片也广泛用于相控阵雷达系统、电子战（EW）系统和毫米波成像设备中，凭借其宽频带响应和稳定的增益特性，能够支持多频段操作和快速频率切换功能。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪的前端接收通道中，C-Q01B-C可用于构建高精度、低底噪的探测模块，确保测量结果的准确性。
　　其他潜在应用还包括点对点微波通信链路、毫米波安全扫描系统、自动驾驶汽车的雷达传感器以及科研用超高速数据采集系统。由于其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，该器件也可部署于户外或恶劣环境下的远程监测节点中。总体而言，C-Q01B-C适用于所有需要在18GHz以上频段实现高增益、低噪声放大的高端电子系统。