时间：2025/4/28 9:27:08
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IXTP50N20P是IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：7ns
结温范围：-55℃至+150℃
IXTP50N20P具有较低的导通电阻，仅为1.6mΩ，这有助于减少导通损耗，从而提高整体效率。此外，其栅极电荷较小，仅为39nC，使得驱动功耗更低，适合高频应用。该器件还具备快速的开关速度（7ns），能够在高频条件下保持高效运行。
另外，IXTP50N20P的耐压能力为200V，足以应对各种高压应用场景。同时，该器件支持高达50A的连续漏极电流，确保在大电流负载下依然稳定工作。其工作温度范围从-55℃到+150℃，适应各种严苛的工作环境。
IXTP50N20P广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景中，如工业自动化设备中的电机驱动电路、通信设备中的DC-DC转换模块、以及消费电子领域的适配器和充电器等。此外，它也非常适合用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
IRFP240, STP50NF20, FDP50N20A
