时间：2025/8/1 15:20:32
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CRSM010N04L2 是一款由 Central Semiconductor 制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具备高效率和良好的热稳定性，适合在需要高可靠性和高性能的电子系统中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id)：100A
漏源电压 (Vds)：40V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：10mΩ
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CRSM010N04L2 MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOS 技术，使其在低导通电阻和高电流承载能力方面表现出色。其低 Rds(on) 特性可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
该 MOSFET 的 TO-263 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在高功率密度应用中使用。其宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性，适用于工业、汽车和消费类电子产品。
该器件主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及工业自动化设备。其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
IRF1010N, FDP1010N, FQP10N40, STP100N4F6
