时间：2025/8/6 9:46:32
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IXTN90N25L2是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及逆变器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：250V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
IXTN90N25L2的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)典型值为0.042Ω，在10V栅极驱动电压下表现优异。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，最大连续漏极电流可达90A，适用于需要大电流输出的功率转换系统。
另一个重要特性是其高耐压能力，漏源极之间的最大耐压为250V，适合中高压电源应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，确保在各种工作条件下的稳定性。同时，该MOSFET的封装为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
IXTN90N25L2还具备快速开关特性，能够在高频开关应用中提供较低的开关损耗，适用于DC-DC转换器、PFC电路以及电机驱动系统。其热阻较低，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度，提高整体系统的可靠性和寿命。
IXTN90N25L2主要应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、PFC（功率因数校正）电路、电机控制和驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）等。由于其具备高电流、高电压和低导通电阻的特性，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。
在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高能效；在电机控制应用中，它可以用于H桥驱动或PWM控制，实现精确的电机调速和转矩控制；在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电系统，该器件可用于功率转换和能量调节模块，确保系统高效稳定运行。
IXFH90N25L2, IRFP460LC, STP90NF25, FDPF90N25
