类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　连续漏极电流(Id)@25℃：4.6A
　　脉冲漏极电流(Idm)：18A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：22mΩ
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V：28mΩ
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：580pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：SOT-23

EO9A46BA采用高性能沟槽栅极MOSFET工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为22mΩ，在低电压应用中表现出优异的导通性能，有效减少功率损耗并提升系统效率。其低Rds(on)特性使得器件在大电流负载下仍能保持较低温升，增强了系统的可靠性和寿命。此外，该器件具有较快的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其非常适合高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚控制，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低成本。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了较好的抗过压冲击性能，增强了在瞬态工况下的安全性。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，配合适当的PCB铜箔散热设计，可满足大多数中功率应用场景的需求。
　　EO9A46BA的工作结温可达+150℃，可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和消费级产品。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，提高了抗噪声干扰能力和开关稳定性。此外，该器件无铅环保，符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品制造。综合来看，EO9A46BA是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于多种电源管理和开关控制应用，尤其适合对空间、效率和成本有较高要求的设计方案。

便携式电子设备中的电源开关与负载管理
　　锂电池保护电路与充电管理模块
　　DC-DC buck与boost转换器中的主开关或同步整流管
　　USB电源控制与过流保护电路
　　电机驱动电路中的低边开关
　　各类消费类电子产品中的信号切换与隔离
　　微型逆变器与LED驱动电源
　　嵌入式系统中的GPIO扩展驱动电路

AO3400,AO3401,SI2302,FS8205