时间：2025/6/19 10:45:55
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FN15X104J160PNG 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用的是先进的沟槽式技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种工业应用中的高频开关电路、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
这款芯片的封装形式为 LFPAK8 封装（PQFN 封装的一种），它是一种小型化的表面贴装器件，非常适合对空间敏感的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷：37nC（典型值）
开关时间：ton=11ns，toff=15ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK8 (PQFN)
FN15X104J160PNG 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）。这使其在大电流应用场景中能够显著降低传导损耗，从而提升整体效率。此外，它的快速开关性能也使得该器件非常适合高频操作环境。由于采用了 PQFN 封装，该芯片具备出色的散热性能和较小的寄生电感，进一步提升了系统的稳定性和可靠性。
同时，此功率 MOSFET 支持较宽的工作温度范围（从 -55°C 到 +175°C），能够在极端条件下保持高性能表现。这种稳健性使其成为汽车电子、工业电源转换以及其他高要求应用的理想选择。
FN15X104J160PNG 主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景，包括但不限于：
1. DC-DC 转换器中的同步整流功能；
2. 开关模式电源（SMPS）设计；
3. 电动车辆或混合动力车辆中的电机驱动；
4. 工业自动化设备中的负载切换控制；
5. 大功率 LED 驱动电路；
6. 电池管理系统（BMS）中的保护与能量分配。
IRF3205
SI4470DY
FDP15N06L
