时间：2025/5/7 17:38:16
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IRF8513PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件由Vishay公司生产，适用于各种开关应用和功率转换电路。其高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性使其成为高效能电源管理的理想选择。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：190mΩ（典型值，Vgs=10V）
输入电容：1440pF
总功耗：17W
工作温度范围：-55°C至+150°C
IRF8513PBF具备以下显著特性：
1. 高击穿电压设计确保了在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻减少了传导损耗，从而提高了系统效率。
3. 快速开关速度使得它非常适合高频开关应用。
4. 具有出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 封装形式紧凑，易于集成到各种电子设备中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 各类工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF8514PBF, IRF8515PBF
