类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：2 A
　　非重复最大正向浪涌电流（IFSM）：40 A
　　最大反向漏电流（IR）：100 μA @ 25°C, 650 V
　　正向电压降（VF）：1.7 V @ 2 A, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　热阻结到管壳（RθJC）：3.5 °C/W
　　安装扭矩：0.8 N·m

WLG2-LDS-DGJS03 碳化硅肖特基二极管的核心优势在于其基于碳化硅半导体材料所带来的卓越电气与热性能表现。与传统的硅基PIN二极管相比，该器件在正向导通时展现出更低的正向压降，并且在关断过程中几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关应用中可以大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提升整个电源系统的能效和稳定性。由于没有少子存储效应，该二极管在快速切换时不会产生拖尾电流，有效避免了因反向恢复引起的电压尖峰和功率损耗，这对于高频软开关拓扑如LLC谐振变换器尤为重要。
　　该器件具备高达175°C的最大工作结温，使其能够在高温环境下长期可靠运行，减少了对外部散热系统的依赖，适用于紧凑型高功率密度设计。此外，碳化硅材料本身具有优异的热导率（约4.9 W/cm·K），有助于热量从PN结快速传导至封装外壳，进一步提升器件的热管理能力。WLG2-LDS-DGJS03 还具备极低的反向漏电流，在常温下仅为100μA，在高温条件下也保持相对稳定，确保在轻载或待机状态下仍能维持高效率。
　　该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，支持自动化回流焊工艺，适用于现代大规模PCB组装流程。其封装设计兼顾电气绝缘与热性能，适合用于需要良好散热和机械稳定性的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足国际环保法规要求。由于其高耐压、低损耗、高频率适应性等特点，WLG2-LDS-DGJS03 在新能源汽车车载充电机（OBC）、光伏微逆变器、服务器电源、工业电机驱动等领域得到了广泛应用。

WLG2-LDS-DGJS03 主要应用于对效率、功率密度和可靠性有严格要求的电力电子系统中。典型应用包括太阳能微型逆变器中的续流与升压二极管，用于提升MPPT效率并降低系统温升；在电动汽车车载充电机（OBC）中作为PFC（功率因数校正）级的升压二极管，利用其零反向恢复特性提高转换效率；在高频率DC-DC变换器中作为输出整流二极管，显著降低开关损耗并提升功率密度；同时适用于工业开关电源、UPS不间断电源和通信电源等高端电源设备。此外，该器件也可用于电机驱动电路中的续流保护，以及感应加热、激光电源等特种电源系统中，在高温、高频、高电压工况下表现出优于传统硅器件的综合性能。