IXTN17N100L 时间：2025/8/6 0:46:41 阅读：29

IXTN17N100L 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高压、高电流应用设计，广泛用于电源管理、工业控制、马达驱动、开关电源、逆变器和 UPS 系统等领域。IXTN17N100L 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　漏极电流（ID）@25°C：17 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：87 nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTN17N100L 在高压功率应用中展现出卓越的性能。其高耐压能力（1000 V）使其适用于高压直流（HVDC）系统、电源转换器和太阳能逆变器等场合。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其较大的漏极电流容量（17A）使得在中高功率应用中能够稳定工作。
　　IXTN17N100L 的栅极电荷较低（Qg 为 87nC），有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而提高整体系统的能效。它还具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下可靠运行。TO-247 封装提供了良好的散热路径，适用于自然冷却或散热片辅助冷却的设计环境。
　　此器件的栅极驱动电压范围为 ±30V，具有较强的抗干扰能力，适合与各种驱动电路配合使用。此外，其具备良好的雪崩能量耐受能力，可在突发高压情况下提供额外的保护，增强系统的可靠性。

应用

IXTN17N100L 主要应用于高压和高功率电子系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、电机控制、照明镇流器和工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高压隔离和高效能转换的电力电子设备中。在新能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统中，IXTN17N100L 也被广泛使用。此外，在电源管理系统中，它可用于构建高效率的同步整流电路和功率因数校正（PFC）模块。