时间：2025/8/5 15:43:37
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VBO72-18N07 是一款由 Vishay（威世）公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和高电流开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率，适合在高频率和高功率密度的环境中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：18V
栅源电压（Vgs）：±7V
连续漏极电流（Id）：72A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V, Id=36A 时为 2.4mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双散热片
VBO72-18N07 的主要特性之一是其极低的导通电阻，在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件在 4.5V 的栅极电压下即可实现完全导通，适用于多种低压控制电路。
其 PowerPAK SO-8 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在持续工作状态下可支持高达 72A 的漏极电流，适用于高负载的应用场景。
该器件还具备良好的热稳定性与抗静电能力，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的长期可靠性。同时，其快速开关特性使其适用于高频率的开关电源、同步整流和 DC-DC 转换器等应用。
总体而言，VBO72-18N07 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电子系统设计。
VBO72-18N07 常用于多种功率电子系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及服务器和电信设备中的电源模块。其高电流能力和低导通电阻也使其成为便携式设备和电源管理单元中的理想选择。
SiSS288N10N5T2, BSC070N04LS G, AO4406
