MMPF0100NPAZES 是一款基于 MOSFET 技术的功率半导体器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该型号属于 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高效能需求的应用场景。
此元器件采用表面贴装封装(SOT-227),具备较高的电流承载能力和出色的散热性能,确保其在高功率应用中的稳定性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:58A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:165nC
开关频率:高达 1MHz
功耗:25W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MMPF0100NPAZES 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
此外,它还具备快速开关能力,使其能够适应高频应用环境,同时保持较低的电磁干扰(EMI)。
该器件的热性能优化设计允许其在高温条件下持续运行,从而扩展了其适用范围。通过使用 SOT-227 封装,该芯片实现了优秀的电气连接与散热管理,进一步提升了整体可靠性。
这款 MOSFET 还集成了静电放电(ESD)保护功能,提高了产品的耐用性和抗干扰能力。
MMPF0100NPAZES 常用于需要高性能功率转换的场合,例如工业设备中的 DC-DC 转换器、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
此外,它也适用于消费电子领域,如笔记本电脑适配器、游戏主机电源模块以及电动工具的电机控制电路。
由于其强大的电流处理能力,该元器件同样适合电动汽车充电器、电池管理系统(BMS)以及其他需要大电流开关的应用场景。
MMPF0100NPBFES,MMPF0100NPAKES