时间：2025/5/10 10:38:53
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NRVUA220VT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-220FP，便于散热和安装。
NRVUA220VT3G 的工作电压高达 650V，能够承受高电压的冲击，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极-源极电压：±20V
功耗：125W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220FP
NRVUA220VT3G 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能，可有效减少开关损耗。
4. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 可靠性高，适用于工业和消费类电子设备。
NRVUA220VT3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 电机驱动电路，用于控制直流或步进电机。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各种需要高压切换的工业设备。
6. 照明系统中的镇流器和 LED 驱动电路。
FQA41N65L,
IRF650,
FDP18N65C3
