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SZMM3Z5V6ST1G 发布时间 时间:2025/5/29 0:45:20 查看 阅读:8

SZMM3Z5V6ST1G是一种表面贴装的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常用于开关和保护电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适合在各种消费类电子、通信设备及工业控制应用中使用。
  其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:470mA
  导通电阻:1.9Ω
  功耗:320mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,能够适应高频应用环境。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB板空间。
  4. 高静电防护能力,增强系统稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 移动设备中的负载开关控制。
  2. 电池供电产品的电源管理。
  3. 开关模式电源中的同步整流。
  4. 数据通信接口的ESD保护。
  5. 消费电子产品中的过流保护电路。
  6. 工业自动化中的信号切换。

替代型号

AO3400A
  FDMC115AZ
  IRLML6401TRPBF

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SZMM3Z5V6ST1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.6V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 2V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)40 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C