SZMM3Z5V6ST1G是一种表面贴装的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常用于开关和保护电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适合在各种消费类电子、通信设备及工业控制应用中使用。
其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:470mA
导通电阻:1.9Ω
功耗:320mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,能够适应高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装,节省PCB板空间。
4. 高静电防护能力,增强系统稳定性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 电池供电产品的电源管理。
3. 开关模式电源中的同步整流。
4. 数据通信接口的ESD保护。
5. 消费电子产品中的过流保护电路。
6. 工业自动化中的信号切换。
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