时间：2025/9/15 0:00:47
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BUK9Y38-100E,115 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装
BUK9Y38-100E,115 具有多个关键特性，使其成为高功率应用的理想选择。
首先，该MOSFET采用了先进的Trench技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其最大RDS(on)为3.8mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次，该器件的额定漏源电压为100V，支持在中高电压环境下稳定运行，适用于如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用。
此外，BUK9Y38-100E,115 采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理性能，能够在高温环境下可靠工作。该封装还便于PCB布局和自动化装配，提高了制造效率。
最后，其宽工作温度范围（-55℃至175℃）确保了在极端环境下的稳定性和可靠性，特别适合汽车电子和工业控制系统等严苛应用场合。
BUK9Y38-100E,115 广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。
在电源管理领域，该MOSFET常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高转换效率并减少热量产生。
在汽车电子方面，该器件适用于电动车辆和混合动力汽车的电机控制、车载充电器以及车身控制系统，其高可靠性和宽工作温度范围确保了在复杂环境下的稳定运行。
此外，BUK9Y38-100E,115 还广泛用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电机驱动系统，其高性能和耐用性使其成为工业功率电子的理想选择。
IPB018N10N3, SiR178DP, STP170N8F7, FDD8882
